磷化銦(InP)是一種重要的化合物半導體材料,具有寬禁帶結構、電子極限漂移速度高、耐輻射性好,導熱好等優點。適用於製造高頻、大功率微波器件和集成電路,在微波通信、光纖通信、製導/導航等民用及軍事領域應用十分廣泛。

磷化銦(InP)是Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料;有兩個獨特的物理性能:波長穩定和高遷移率。因此磷化銦成為唯一能應用於微波、毫米波器件領域中的高端材料。磷化銦的光波長是1.3至1.55微米,是光纖傳播中損耗最少的波長,因此磷化銦成為光通訊領域的核心半導體材料。

目前InP晶體生長技術在世界範圍內分為三種:

VGF--垂直溫度梯度結晶生長法,又名溫梯法。

HB--水平生長法。

LEC--液封提拉晶體生長法,又名:提拉法。

我司采用VGF生長法生長出來的晶體,相比較於其他兩項的技術優點是:晶體缺陷密度極低;晶體熱應力遠優於LEC和HB晶體。

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經過多年的努力,公司已建立起一支“從機械、電子、到化學物理工程都有著豐富實踐經驗和研發能力的科技團隊;完成了從設備製造到安裝調試;對InP之3"、4"摻“S”、“Fe”進行深入的研究,已經具備了批量生產的全部條件。對VGF晶體生長技術的許多關鍵工藝流程有新的發明和突破性的技術改進,並取得專利。

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